SI7923DN-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6,4A; 2,8W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI7923DN-T1-GE3
Símbolo TME:
SI7923DN-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -6,4A | |
Corriente del drenaje en impulso | -20A | |
Poder disipado | 2,8W | |
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 75mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 21nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI7923DN-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 1.01 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 1.01 USD