SI7938DP-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI7938DP-T1-GE3
Símbolo TME:
SI7938DP-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 40V | |
Corriente del drenaje | 60A | |
Corriente del drenaje en impulso | 80A | |
Poder disipado | 46W | |
Carcasa | PowerPAK® SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 7mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 65nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.152 g
Certificados
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* SI7938DP-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
2763 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.34 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.54 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.32 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.06 USD
Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.95 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.95 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.92 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.92 USD
Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und