SI7997DP-T1-GE3
Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; 46W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI7997DP-T1-GE3
Símbolo TME:
SI7997DP-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -60A | |
Corriente del drenaje en impulso | -100A | |
Poder disipado | 46W | |
Carcasa | PowerPAK® SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 7,8mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 160nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI7997DP-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.56 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.56 USD
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Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.74 USD
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Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 1.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 1.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 1.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 1.26 USD
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