SI7998DP-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25/30A; 22/40W
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI7998DP-T1-GE3
Símbolo TME:
SI7998DP-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 25/30A | |
Corriente del drenaje en impulso | 60...80A | |
Poder disipado | 22/40W | |
Carcasa | PowerPAK® SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 7/12,4mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 26/48nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* SI7998DP-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.61 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.61 USD