SI8409DB-T1-E1
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6,3A; Idm: -25A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI8409DB-T1-E1
Símbolo TME:
SI8409DB-T1-E1
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -6,3A | |
Corriente del drenaje en impulso | -25A | |
Poder disipado | 2,77W | |
Carcasa | MICROFOOT® 1.6x1.6 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 65mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 26nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal P SMD VISHAY,
* SI8409DB-T1-E1Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.46 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.46 USD