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SI8472DB-T2-E1

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4,5A; Idm: 20A


El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:
SI8472DB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8472DB-T2-E1

Especificación

Fabricante
VISHAY
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
TrenchFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
20V
Corriente del drenaje
4,5A
Corriente del drenaje en impulso
20A
Poder disipado
1,8W
Carcasa
MICROFOOT® 1.6x1.6
Tensión puerta-fuente
±8V
Resistencia en estado de transferencia
70mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
18nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.001 g
Certificados
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SI8472DB-T2-E1
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