SI8489EDB-T2-E1
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5,4A; Idm: -20A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI8489EDB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8489EDB-T2-E1
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -20V | |
Corriente del drenaje | -5,4A | |
Corriente del drenaje en impulso | -20A | |
Poder disipado | 1,8W | |
Carcasa | MICROFOOT® | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 82mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 27nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI8489EDB-T2-E1Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.22 USD