SI8497DB-T2-E1
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI8497DB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8497DB-T2-E1
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -13A | |
Corriente del drenaje en impulso | -20A | |
Poder disipado | 13W | |
Carcasa | MICROFOOT® | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,12Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 49nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI8497DB-T2-E1Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.34 USD