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SI8802DB-T2-E1

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3,5A; Idm: 15A; 0,9W


El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:
SI8802DB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8802DB-T2-E1

Especificación

Fabricante
VISHAY
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
TrenchFET®
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
8V
Corriente del drenaje
3,5A
Corriente del drenaje en impulso
15A
Poder disipado
0,9W
Carcasa
MICROFOOT®
Tensión puerta-fuente
±5V
Resistencia en estado de transferencia
135mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
6,5nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.001 g
Certificados
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SI8802DB-T2-E1
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