SI8808DB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 2,5A; Idm: 10A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI8808DB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8808DB-T2-E1
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 2,5A | |
Corriente del drenaje en impulso | 10A | |
Poder disipado | 0,9W | |
Carcasa | MICROFOOT® | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,165Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 10nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI8808DB-T2-E1Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.18 USD