SI8902AEDB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SI8902AEDB-T2-E1
Símbolo TME:
SI8902AEDB-T2-E1
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 24V | |
Corriente del drenaje | 11A | |
Corriente del drenaje en impulso | 40A | |
Poder disipado | 5,7W | |
Carcasa | MICROFOOT® | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 37mΩ | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.001 g
Certificados
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* SI8902AEDB-T2-E1Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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