SIRB40DP-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 100A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SIRB40DP-T1-GE3
Símbolo TME:
SIRB40DP-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 40V | |
Corriente del drenaje | 40A | |
Corriente del drenaje en impulso | 100A | |
Poder disipado | 29,6W | |
Carcasa | PowerPAK® SO8 | |
Tensión puerta-fuente | -16...20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 4,2mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 93nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SIRB40DP-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.40 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.02 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.02 USD
Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.85 USD
Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.81 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.81 USD
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