SISF02DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 140A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SISF02DN-T1-GE3
Símbolo TME:
SISF02DN-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 25V | |
Corriente del drenaje | 60A | |
Corriente del drenaje en impulso | 140A | |
Poder disipado | 44,4W | |
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 | |
Tensión puerta-fuente | -12...16V | |
Resistencia en estado de transferencia | 5,6mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 56nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SISF02DN-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.05 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.44 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 1.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 1.05 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.94 USD
Precio neto para cantidades a partir de 125 und - 0.91 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 125 und - 0.91 USD
Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.89 USD