SISF04DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 86A; Idm: 190A
NOVEDAD
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SISF04DN-T1-GE3
Símbolo TME:
SISF04DN-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 86A | |
Corriente del drenaje en impulso | 190A | |
Poder disipado | 44,4W | |
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 | |
Tensión puerta-fuente | -12...16V | |
Resistencia en estado de transferencia | 6mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 60nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Estructura del semiconductor | drenaje conjunto |
Peso bruto0.095 g
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* SISF04DN-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.74 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.74 USD