SISF06DN-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
SISF06DN-T1-GE3
Símbolo TME:
SISF06DN-T1-GE3
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | TrenchFET® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 81A | |
Corriente del drenaje en impulso | 190A | |
Poder disipado | 44,4W | |
Carcasa | PowerPAK® 1212-8 | |
Tensión puerta-fuente | -16...20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 6,95mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 45nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto1 g
Certificados
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* SISF06DN-T1-GE3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.03 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 200 und - 0.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 200 und - 0.70 USD