SP8M10FRATB

Name: ROHM SEMICONDUCTOR SP8M10FRATB
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SP8M10FRATB
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/-4,5A; Idm: 18÷28A; 2W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

SP8M10FRATB

Símbolo TME:

SP8M10FRATB

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.90 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.79 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.79 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.65 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.56 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.56 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.53 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5000 und - 0.52 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5000 und - 0.52 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30/-30V
Corriente del drenaje	7/-4,5A
Corriente del drenaje en impulso	18...28A
Poder disipado	2W
Carcasa	SOP8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	37/90mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	8,4/8,5nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido