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ST8L65N065DM9

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM9; unipolar; 650V; 28A; Idm: 175A

NOVEDAD

El productor: STMicroelectronics

Denominación de fabricante:
ST8L65N065DM9
Símbolo TME:
ST8L65N065DM9

Especificación

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de transistor
N-MOSFET
Tecnología
MDmesh™ DM9
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
650V
Corriente del drenaje
28A
Corriente del drenaje en impulso
175A
Poder disipado
223W
Carcasa
PowerFLAT 8x8
Tensión puerta-fuente
±30V
Resistencia en estado de transferencia
65mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
78nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto1 g
Certificados
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ST8L65N065DM9
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Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)