STB120N4F6
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 110W; D2PAK
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STB120N4F6
Símbolo TME:
STB120N4F6
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SuperMesh™ | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 40V | |
Corriente del drenaje | 80A | |
Corriente del drenaje en impulso | 320A | |
Poder disipado | 110W | |
Carcasa | D2PAK | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 4mΩ | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.025 g
Certificados
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* STB120N4F6Número de unidades (Multiplicidad: 1 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 1.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 1.12 USD