STB18N60DM2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7,6A; 90W; D2PAK; ESD
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STB18N60DM2
Símbolo TME:
STB18N60DM2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SuperMesh™ | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 7,6A | |
Poder disipado | 90W | |
Carcasa | D2PAK | |
Tensión puerta-fuente | ±25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,295Ω | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.025 g
Certificados
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* STB18N60DM2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.80 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 2.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 2.26 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.54 USD