STB18NM60ND
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8,19A; Idm: 52A; 130W; D2PAK
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STB18NM60ND
Símbolo TME:
STB18NM60ND
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 8,19A | |
Corriente del drenaje en impulso | 52A | |
Poder disipado | 130W | |
Carcasa | D2PAK | |
Tensión puerta-fuente | ±25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,29Ω | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.025 g
Certificados
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* STB18NM60NDNúmero de unidades (Multiplicidad: 1 000)
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Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 2.00 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 2.00 USD