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Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | SuperMESH3™ | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 950V | |
Corriente del drenaje | 3A | |
Corriente del drenaje en impulso | 16A | |
Poder disipado | 90W | |
Carcasa | DPAK | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Resistencia en estado de transferencia | 3,5Ω | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |