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Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -80A | |
Corriente del drenaje en impulso | -320A | |
Poder disipado | 104W | |
Carcasa | DPAK | |
Tensión puerta-fuente | ±18V | |
Resistencia en estado de transferencia | 6,9mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 113nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |