STGB30M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGB30M65DF2
Símbolo TME:
STGB30M65DF2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | ||
Tipo de transistor | IGBT | ||
Tensión colector-emisor | 650V | ||
Corriente de colector | 30A | ||
Poder disipado | 258W | ||
Carcasa | D2PAK | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 120A | ||
Montaje | SMD | ||
Carga de puerta | 80nC | ||
Clase de empaquetado | bobina, cinta | ||
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto1.619 g
Certificados
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* STGB30M65DF2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
25 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 3.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 3.08 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 2.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 2.48 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.18 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.89 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.89 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.78 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.78 USD