STGB30M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; D2PAK
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGB30M65DF2
Símbolo TME:
STGB30M65DF2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 30A | |
Poder disipado | 258W | |
Carcasa | D2PAK | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 120A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 80nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto1.619 g
Certificados
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* STGB30M65DF2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 2.51 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 2.51 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.21 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 1.91 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 1.91 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 1.81 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 1.81 USD