STGH30H65DFB-2AG
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 260W; H2PAK
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGH30H65DFB-2AG
Símbolo TME:
STGH30H65DFB-2AG
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 30A | |
Poder disipado | 260W | |
Carcasa | H2PAK | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 90A | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 155nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto3 g
Certificados
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* STGH30H65DFB-2AGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 2.69 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 2.69 USD
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