STGWA30M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 30A; 258W; TO247-3
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGWA30M65DF2
Símbolo TME:
STGWA30M65DF2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 30A | |
Poder disipado | 258W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 120A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 80nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto5 g
Certificados
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* STGWA30M65DF2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 2.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 2.48 USD