STGWA75H65DFB2
Transistor: IGBT; 650V; 75A; 357W; TO247-3
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGWA75H65DFB2
Símbolo TME:
STGWA75H65DFB2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 75A | |
Poder disipado | 357W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±30V | |
Corriente de colector en impulso | 225A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 207nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto6.128 g
Certificados
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* STGWA75H65DFB2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
38 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 4.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 4.97 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 4.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 4.09 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 3.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 3.25 USD
Precio neto para cantidades a partir de 60 und - 2.76 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 60 und - 2.76 USD
Precio neto para cantidades a partir de 120 und - 2.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 120 und - 2.65 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und