STGWT40H65DFB
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGWT40H65DFB
Símbolo TME:
STGWT40H65DFB
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 40A | |
Poder disipado | 283W | |
Carcasa | TO3P | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 160A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 0,21µC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto5.2 g
Certificados
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* STGWT40H65DFBNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
35 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 4.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 4.40 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 4.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 4.09 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 3.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 3.42 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 3.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 3.26 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und