STGYA120M65DF2
Transistor: IGBT; 650V; 120A; 625W; MAX247
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STGYA120M65DF2
Símbolo TME:
STGYA120M65DF2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tensión colector-emisor | 650V | |
Corriente de colector | 120A | |
Poder disipado | 625W | |
Carcasa | MAX247 | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 360A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 420nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto5 g
Certificados
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* STGYA120M65DF2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 15.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 15.70 USD