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El productor: STMicroelectronics
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | MDmesh™ DM6 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 18A | |
Corriente del drenaje en impulso | 112A | |
Poder disipado | 223W | |
Carcasa | H2PAK7 | |
Tensión puerta-fuente | ±25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,115Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 46nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | derivación Kelvin | |
Uso | rama automotriz |