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Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 60V | |
Corriente del drenaje | 20A | |
Corriente del drenaje en impulso | 31,2A | |
Poder disipado | 65W | |
Carcasa | PowerFLAT 5x6 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 30mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 13nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Uso | rama automotriz |