STP11N60DM2
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6,3A; Idm: 40A
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STP11N60DM2
Símbolo TME:
STP11N60DM2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | MDmesh™ DM2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 600V | |
Corriente del drenaje | 6,3A | |
Corriente del drenaje en impulso | 40A | |
Poder disipado | 110W | |
Carcasa | TO220-3 | |
Tensión puerta-fuente | ±25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,42Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 16,5nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto2.012 g
Certificados
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* STP11N60DM2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.77 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.77 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.04 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.04 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.97 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 50 und