STR2N2VH5

Name: STMicroelectronics STR2N2VH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STR2N2VH5
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 20V; 1,4A; Idm: 9,2A

El productor: STMicroelectronics

Denominación de fabricante:

STR2N2VH5

Símbolo TME:

STR2N2VH5

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.17 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.06 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.98 USD

Precio neto para cantidades a partir de 75 und - 0.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 75 und - 0.63 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.58 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.58 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.41 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.28 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	STMicroelectronics
Tipo de transistor	N-MOSFET
Tecnología	STripFET™
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	20V
Corriente del drenaje	1,4A
Corriente del drenaje en impulso	9,2A
Poder disipado	0,35W
Carcasa	SOT23
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	40mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	4,6nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido