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Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Tecnología | STripFET™ H6 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -3,2A | |
Corriente del drenaje en impulso | -20A | |
Poder disipado | 2,7W | |
Carcasa | SO8 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 56mΩ | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |