STW33N60DM2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15,5A; Idm: 96A; 190W; TO247
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
STW33N60DM2
Símbolo TME:
STW33N60DM2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 650V | |
Corriente del drenaje | 15,5A | |
Corriente del drenaje en impulso | 96A | |
Poder disipado | 190W | |
Carcasa | TO247 | |
Tensión puerta-fuente | ±25V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,11Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 43nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto4.51 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores con canal N THT STMicroelectronics,
* STW33N60DM2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
36 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 5.71 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 5.71 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 4.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 4.38 USD
Precio neto para cantidades a partir de 30 und - 3.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30 und - 3.94 USD
Método de envasado por el fabricanteTubo = 30 und