TP2435N8-G
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -350V; -231mA; Idm: -1,1A; 1,6W
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
TP2435N8-G
Símbolo TME:
TP2435N8-G
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -350V | |
Corriente del drenaje | -231mA | |
Corriente del drenaje en impulso | -1,1A | |
Poder disipado | 1,6W | |
Carcasa | SOT89-3 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 15Ω | |
Montaje | SMD | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Embalaje estándar del fabricante | 2000uds. |
Peso bruto0.231 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* TP2435N8-GNúmero de unidades (Multiplicidad: 2 000)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 2000 und - 0.98 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2000 und - 0.98 USD
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Método de envasado por el fabricanteRulo = 2 000 und