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UM6J1NTN

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -200mA; Idm: -0,4A; 150mW

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
UM6J1NTN
Símbolo TME:
UM6J1NTN

Especificación

Fabricante
ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor
P-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
-30V
Corriente del drenaje
-0,2A
Corriente del drenaje en impulso
-400mA
Poder disipado
0,15W
Carcasa
UMT6
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
2,4Ω
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Versión
ESD
Peso bruto0.1 g
Certificados

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UM6J1NTN
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