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Fabricante	VISHAY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	500V
Corriente del drenaje	29A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	106mΩ
Corriente del drenaje en impulso	150A
Poder disipado	261W
Clase de canal	enriquecido
Tensión puerta-fuente	±20V
Montaje mecánico	atornillado

VS-FA40SA50LC

Módulo; transistor individual; 500V; 29A; SOT227B; atornillado

Especificación