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VS-GT100DA120UF

Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; Trench

El productor: VISHAY

Denominación de fabricante:
VS-GT100DA120UF
Símbolo TME:
VS-GT100DA120UF

Especificación

Fabricante
VISHAY
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor individual
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
100A
Carcasa
SOT227B
Montaje eléctrico
atornillado
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
240A
Tecnología
Trench
Propiedades de elementos semiconductores
integrated anti-parallel diode
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto30.3 g
Certificados
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VS-GT100DA120UF
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