VS-GT80DA120U
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
VS-GT80DA120U
Símbolo TME:
VS-GT80DA120U
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 80A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 170A | |
Tecnología | Trench | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT VISHAY,
* VS-GT80DA120UNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 39.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 39.60 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 37.38 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 37.38 USD