VS-GT90DA120U
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 106A; Trench
El productor: VISHAY
Denominación de fabricante:
VS-GT90DA120U
Símbolo TME:
VS-GT90DA120U
Especificación
Fabricante | VISHAY | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 106A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 350A | |
Tecnología | Trench | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
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* VS-GT90DA120UNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 45.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 45.70 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 41.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 41.08 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 39.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 39.65 USD