VT6M1T2CR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR VT6M1T2CR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: VT6M1T2CR
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0,1/-0,1A; Idm: 0,4A

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

VT6M1T2CR

Símbolo TME:

VT6M1T2CR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.35 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.29 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.18 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.09 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5000 und - 0.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5000 und - 0.08 USD

Precio neto para cantidades a partir de 8000 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 8000 und - 0.07 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24000 und - 0.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24000 und - 0.07 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	20/-20V
Corriente del drenaje	0,1/-0,1A
Corriente del drenaje en impulso	0,4A
Poder disipado	0,15W
Carcasa	VMT6
Tensión puerta-fuente	±8V, ±10V
Resistencia en estado de transferencia	3,5/3,8Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD