VUI30-12N1
Módulo: IGBT; diodo/transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
VUI30-12N1
Símbolo TME:
VUI30-12N1
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | diodo/transistor | |
Topología | 3-phase PFC | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 65A | |
Carcasa | V1-A-Pack | |
Uso | inversor | |
Montaje eléctrico | FASTON terminales | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Tecnología | FRED, NPT | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto50 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT IXYS,
* VUI30-12N1Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 48.07 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 48.07 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 42.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 42.41 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 38.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 38.14 USD
Precio neto para cantidades a partir de 24 und - 35.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24 und - 35.59 USD