WMSC008H12B1P6T
Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
El productor: WeEn Semiconductors
Denominación de fabricante:
WMSC008H12B1P6T
Símbolo TME:
WMSC008H12B1P6T
Especificación
Fabricante | WeEn Semiconductors | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | |
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | |
Corriente del drenaje | 153A | |
Topología | medio puente MOSFET, termistor NTC | |
Montaje eléctrico | Press-in PCB | |
Resistencia en estado de transferencia | 8mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 300A | |
Poder disipado | 244W | |
Tecnología | SiC | |
Tensión puerta-fuente | -4...18V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto20 g
Certificados
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* WMSC008H12B1P6TNúmero de unidades (Multiplicidad: 16)
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