WNSC04650T6J
Diodo: rectificador de barrera Schottky; DFN8x8N; SiC; SMD; 650V
El productor: WeEn Semiconductors
Denominación de fabricante:
WNSC04650T6J
Símbolo TME:
WNSC04650T6J
Especificación
Fabricante | WeEn Semiconductors | |
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | |
Carcasa | DFN8x8N | |
Tecnología | SiC | |
Montaje | SMD | |
Tensión de retorno máx. | 650V | |
Corriente conductiva | 4A | |
Estructura del semiconductor | diodo individual | |
Corriente conductiva máx. | 1,7V | |
Corriente en impulso max. | 24A | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta |
Peso bruto0.01 g
Certificados
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* WNSC04650T6JNúmero de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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