GeneSiC SEMICONDUCTOR

A empresa GeneSiC Semiconductor foi fundada em 2002 nos EUA e, desde então, tem-se especializado no desenvolvimento, testagem e produção de componentes inovadores na nova tecnologia de carboneto de silício (SiC, de silicon carbide). O resultado destas atividades são, principalmente, díodos e transístores SiC caracterizados por baixas perdas, alta eficiência e resistência a altas temperaturas de funcionamento. Estas soluções são utilizadas sempre que as condições ou os requisitos excedam as capacidades da tecnologia de silício clássica, especialmente em conversores de energias renováveis, em controladores de alta potência no campo da automatização industrial e da energia, bem como em aplicações no campo militar e em muitas outras áreas.

O catálogo da TME conta com uma série de componentes semicondutores GenaSiC com carboneto de silício, que incluem díodos Schottky (tanto THT como SMD) com uma intensidade de corrente de até 50 A (400 A num impulso), bem como módulos de díodo (aparafusados) com uma condutividade máxima de até 420 A (800 A num impulso). Da oferta do fabricante, também oferecemos transístores unipolares, módulos MOSFET e componentes relacionados.