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Memristor (resistência de memória) é um elemento eletrónico não linear, de dois terminais, cuja resistência depende da carga eléctrica total que o atravessou ao longo do tempo. Isto significa que o memristor "recorda" o seu historial de condução e que o seu estado de condução atual é uma função dos sinais de corrente anteriores. Quando a tensão é retirada, mantém o seu último valor de resistência, o que lhe confere as propriedades de memória não volátil.
O conceito de memristor foi introduzido teoricamente por Leon Chua em 1971 como o quarto elemento fundamental do circuito, a par da resistência, do condensador e das Bobinas. Formalmente, é definido como um elemento cuja resistência depende do fluxo magnético ou da tensão integral em função do tempo. Na prática física, os memristores são mais frequentemente realizados como estruturas semicondutoras ou de óxido de película fina, nas quais a alteração da resistência ocorre em resultado da deslocação de iões ou de defeitos na estrutura do material.
Este fenómeno é utilizado para armazenar informações de forma analógica ou discreta, sem necessidade de uma fonte de alimentação de reserva. Ao contrário dos chips de memória clássicos, os memristores podem simultaneamente armazenar dados e participar no processamento da informação, o que os torna candidatos à realização das chamadas arquitecturas de computação na memória e de computação neuromórfica.
Graças às suas propriedades, os memristores encontram aplicações em tecnologias modernas de memória não volátil (por exemplo, ReRAM), sinapses artificiais em redes neuronais, circuitos lógicos da próxima geração e sistemas adaptativos. O seu desenvolvimento abre novas possibilidades de miniaturização, poupança de energia e realização de funções que são difíceis de obter com componentes electrónicos convencionais .
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