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B3M040065Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 650V; 47A; Idm: 108A; 250W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B3M040065Z
Référence TME:
B3M040065Z

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
650V
Courant du drain
47A
Courant du drain dans l'impulsion
108A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
60nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
sortie Kelvin
Poids brut1 g
Certificates

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B3M040065Z
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.34 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.34 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.10 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.10 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 1.86 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 1.86 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.68 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.68 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 1.55 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.55 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)