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B3M040120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B3M040120H
Référence TME:
B3M040120H

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
45A
Courant du drain dans l'impulsion
124A
Puissance de dissipation
312W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-4...18V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
85nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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B3M040120H
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.77 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.77 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.49 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.49 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.20 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.20 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 1.98 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 1.98 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 1.85 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.85 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)