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B3M040120ZN

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 45A; Idm: 124A; 312W

Fabricant: BASiC SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
B3M040120ZN
Référence TME:
B3M040120ZN

Spécification

Fabricant
BASiC SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
45A
Courant du drain dans l'impulsion
124A
Puissance de dissipation
312W
Boîtier
TO247-4
Tension entrée-source
-5...18V
Résistance en état de conduction
40mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
88nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates

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B3M040120ZN
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.89 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.89 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.60 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.60 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 2.30 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 2.30 USD
Prix net pour les quantités de 120 pcs - 2.06 USDPrix brut pour les quantités de 120 pcs - 2.06 USD
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 1.93 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 1.93 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)