G3R160MT12D
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolaire; 1,2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Fabricant: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Marque du fabricant:
G3R160MT12D
Référence TME:
G3R160MT12D
Spécification
Fabricant | GeneSiC SEMICONDUCTOR | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | G3R™, SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 16A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 40A | |
Puissance de dissipation | 123W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | -5...15V | |
Résistance en état de conduction | 0,16Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 28nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut6.21 g
Certificates
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* G3R160MT12DNombre de pièces (Multiplication: 1)
808 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 6.40 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 6.40 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 5.93 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 5.93 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 5.39 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 5.39 USD
Prix net pour les quantités de 510 pcs - 5.14 USDPrix brut pour les quantités de 510 pcs - 5.14 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs